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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院2024年硕士研究生招生复试参考
2024-01-18
哈尔滨工业大学

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  根据金博宝最新官方网站查询网址 关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求,现确定材料科学与工程学院2024年硕士研究生招生复试参考。

Ⅰ复试总成绩为350分,其中专业综合测试200分,面试150分。

Ⅱ各学科方向具体如下:

报考0805材料科学与工程(学科方向:10光电信息科学与工程)

报考0856材料与化工(专业领域:10光电信息科学与工程)

科目代码:00300

科目名称:半导体物理Ⅱ

  一、考试要求

  要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理,并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带结构、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握,并能熟练运用分析半导体的光电特性。

  二、考试内容

  1、半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论(30分)

  1)半导体晶格结构及电子状态和能带;

  2)半导体中电子的运动;

  3)本征半导体的导电机构;

  4)硅和锗及常用化合物半导体的能带结构;

  5)硅和锗晶体中的杂质能级;

  6)常用化合物半导体中的杂质能级;

  7)缺陷、位错能级。

  2、载流子的统计分布与半导体的导电性(40分)

  1)状态密度与载流子的统计分布;

  2)本征与杂质半导体的载流子浓度;

  3)一般情况下载流子统计分布;

  4)简并半导体;

  5)载流子的漂移运动与散射机构;

  6)迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系;

  7)多能谷散射、耿氏效应。

  3、非平衡载流子(30分)

  1)非平衡载流子的注入、复合与寿命;

  2)准费米能级;

  3)复合理论、陷阱效应;

  4)载流子的扩散、电流密度方程;

  5)连续性方程。

  4、p-n结理论和金属-半导体接触理论(40分)

  1)p-n结及其能带;

  2)p-n结电流电压特性;

  3)p-n结电容、p-n结隧道效应;

  4)金-半接触、能带及整流理论、欧姆接触。

  5、半导体异质结构和半导体光电效应(60分)

  1)半导体异质结及其能带图;

  2)半导体异质p-n结的电流电压特性;

  3)半导体的光学性质(光吸收和光发射);

  4)半导体的光电导效应;

  5)半导体的光生伏特效应;

  6)半导体发光二极管。

  三、参考书目

  1、刘恩科、朱秉升、罗晋升编著,《半导体物理学》,电子工业出版社,2011.3

  2、[美]施敏(S.M.Sze),《半导体器件物理》,电子工业出版社,1987.12

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